Влияние отжига на электропроводность и коэффициент термо-ЭДС кристаллов PbTe, SnTe И Pb0.75Sn0.25Te
- Авторы: Багиева Г.З.1, Абдинов А.Ш.2, Алиева Т.Д.1, Абдинов Д.Ш.1
- 
							Учреждения: 
							- Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики
- Бакинский государственный университет
 
- Выпуск: Том 60, № 9-10 (2024)
- Страницы: 1111-1116
- Раздел: Статьи
- URL: https://cardiosomatics.ru/0002-337X/article/view/683572
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X24090055
- EDN: https://elibrary.ru/LMFLAC
- ID: 683572
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Выращены монокристаллы PbTe, SnTe, Pb0.75Sn0.25Te, исследованы их электропроводность и коэффициент термо-ЭДС в интервале 90–300 К до и после отжига. Показано, что значения, характер температурной зависимости, а также тип проводимости неотожженных кристаллов PbTe, Pb0.75Sn0.25Te определяются в основном структурными несовершенствами, возникающими при выращивании и изготовлении образцов и залечивающихся отжигом. Электрические параметры неотожженных и отожженных кристаллов SnTe определяются в основном акцепторными вакансиями в подрешетке олова с концентрацией 1020–1021 см–3.
Ключевые слова
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
Г. З. Багиева
Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики
														Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
				                					                																			                												                	Азербайджан, 							пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073						
А. Ш. Абдинов
Бакинский государственный университет
														Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
				                					                																			                												                	Азербайджан, 							ул. З. Халилова, 23, Баку, AZ 1148						
Т. Д. Алиева
Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
				                					                																			                												                	Азербайджан, 							пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073						
Д. Ш. Абдинов
Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики
														Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
				                					                																			                												                	Азербайджан, 							пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073						
Список литературы
- Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца // УФН. 2014. Т. 184. № 10. С. 1033–1044. https://doi.org/10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
- Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 384 с.
- Успехи инфракрасной фотосенсорики. Сб. обзорных статей. М.: Орион, 2021. 480 с.
- Дмитриев А.В., Звягин И.П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // УФН. 2010. Т. 180. С. 821–838. https://doi.org/
- Багиева Г.З., Абдинова Г.Дж., Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. Термоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора Pb0.75Sn0.25Te со сверхстехиометричным свинцом // Неорган. материалы. 2023. Т. 59. № 12. С. 1335–1340. https://doi.org/1031857/S0002337X231120011
- Иванова Л.Д. Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 7. С. 948–951. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44650.36
- Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В., Мальцев А.Г., Нихезина И.Ю., Криворучко С.П., Залдастанишвили М.И., Векуа Т.С., Судак Н.М. Получение и термоэлектрические свойства теллурида свинца с мелкокристаллической структурой // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 836–843. https://doi.org/10.31857/S0002337X20080060
- Охотин А.С., Ефимова А.А., Охотин В.С., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. М.: Атомиздат, 1976. 320 с.
- Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Скуднова Л.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. M.: Наука, 1967. 176 с.
- Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI . М.: Наука, 1975. 195 с.
- Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe и твердых растворах на его основе // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 1. С. 3–23.
- Горелик С.С., Дашевкий М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 574 с.
- Ахмедова Г.А., Абдинова Г.Дж., Абдинов Д.Ш. Влияние отжига на электрические свойства кристаллов PbTe, легированных таллием // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 2. С. 149–151.
- Абдурахманов О.Э., Алисултанов М.Э., Бертаева Д.А., Мурадова А.С. Исследование влияния температуры отжига на кристаллизацию наночастиц Nd2O3, синтезированных методом осаждения // Журн. неорган. химии. 2022. Т. 67. № 7. С. 1032–1038. https://doi.org/10.31857/S0044457X22070029
- Менщикова Т.К., Баранчиков А.Е., Никонов К.С., Ваймугин Л.А., Мыслицкий О.Е., Бреховских М.Н. Термический отжиг как способ управления свойствами селенидных магнитных полупроводников со структурой шпинели // Неорган. материалы. 2023. Т. 59. № 8. С. 853–858. https://doi.org/
- Ахундова Н.М., Алиева Т.Д. Влияние отжига на электрические свойства структур (Bi + Sn) – Pb0.75Sn0.25Тe(Sn) и (In + Ag + + Au) – Pb0.75Sn0.25Тe(Sn) // Неорган. материалы. 2023. T. 59. № 1. С. 23–27. https://doi.org/10.31857/S0002337X23010013
- Агаев З.Ф., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М., Абдинов Д.Ш. Выращивание и электрические свойства кристаллов твердых растворов Pb1–хМnхTe // Неорган. материалы. 2003. Т. 39. № 5. С. 543–545.
- Bagiyeva G.Z., Aliyeva T.D., Abdinova G.D., Abdinov D.Sh. Transfer of Electricity and Heat in Crystals SnTe with Superstoichiometrically Inserted Tin // Trans. Natl. Acad. Sci. Az., Ser. Phys.–Math. Tech. Sci. Phys. Astron. 2021. V. XLI. P. 52–59.
- Aliyeva T.D., Abdinova G.D., Akhundova N.M. Pb0.75Sn0.25Te.Sn Crystals and the Electrical Properties of its (In-Ag-Au) Eutectics and Contact // Trans. Natl. Acad. Sci. Az., Ser. Phys.–Math. Tech. Sci. Phys. Astron. 2022. V. XLII. P. 66–73.
- Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровикова Р.П., Симонов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М.: Наука, 1974. 168 с.
- Lorenz M.R., Jepsen D.M. An Explanation of High Cation Vacancy Concentration and p-type Conductivity in Semiconductors Containing a Multivalent Metal in its Lowest Valence State // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 26. P. 1177–1179.
- Кайданов В.И., Черник И.А, Ефимова Б.А. Исследование зонной структуры и механизм рассеяния носителей тока в теллуриде олова // ФТП. 1967. Т. 1. № 6. С. 869–879.
- Tauber R.N., Machons A.A., Cadoff I.V. Thermal and Optical Gaps in PbTe // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 4855–4860.
- Ефимова Б.А., Кайданов В.И., Мойжес Б.Я., Черник И.А. О зонной модели SnTe // ФТТ. 1965. Т. 7. № 8. С. 2524–2527.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 



