Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского
- Авторы: Санжаровский Н.А.1, Парфентьева И.Б.1, Югова Т.Г.1, Князев С.Н.1
- 
							Учреждения: 
							- АО “Гиредмет”
 
- Выпуск: Том 69, № 3 (2024)
- Страницы: 400-404
- Раздел: РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://cardiosomatics.ru/0023-4761/article/view/673169
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124030041
- EDN: https://elibrary.ru/XOZLFO
- ID: 673169
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 1018 см–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 104 см–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 1018 см–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 104 см–2.
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
Н. А. Санжаровский
АО “Гиредмет”
														Email: P_Yugov@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
И. Б. Парфентьева
АО “Гиредмет”
														Email: P_Yugov@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Т. Г. Югова
АО “Гиредмет”
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: P_Yugov@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
С. Н. Князев
АО “Гиредмет”
														Email: P_Yugov@mail.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Список литературы
- Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. С. 147. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
- Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 26. https://doi.org/10.1134/S1063782608060018 https://www.shalomeo.com/Wafers-and-Substrates/InAs-Semi-Growth/product-936.html
- Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
- Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1982. Т. 27. Вып. 4. С. 712.
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 5. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 188. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 







