Атомистическое моделирование кристалла парателлурита α-TeO2. III. Анизотропия ионного транспорта при наложении постоянного электрического поля
- Авторы: Иванов-Шиц А.К.1
- 
							Учреждения: 
							- Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
 
- Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
- Страницы: 68-72
- Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://cardiosomatics.ru/0023-4761/article/view/686180
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476125010093
- EDN: https://elibrary.ru/ISQVEM
- ID: 686180
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Методом молекулярной динамики исследованы особенности ионного переноса в кристаллах парателлурита α-TeO2 в условиях внешнего постоянного электрического поля. Показано, что анизотропия ионного транспорта в большей степени проявляется при наложении поля Е вдоль оси с: при Е = 350 кВ/мм наблюдается увеличение диффузии примерно в 2 раза для кристаллов с кислородными вакансиями и в 3 раза для образцов с дополнительными междоузельными атомами кислорода.
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
А. К. Иванов-Шиц
Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: alexey.k.ivanov@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Список литературы
- Кондратюк И.П., Мурадян Л.А., Писаревский Ю.В., Симонов В.И. // Кристаллография. 1987. Т. 32. Вып. 3. С. 609.
- Thomas P.A. // J. Phys. C. 1988. V. 21. P. 4611. http://stacks.iop.org/0022-3719/21/i=25/a=009
- Arlt G., Schweppe H. // Solid State Commun. 1968. V. 6. P. 783. https://doi.org/10.1016/0038–1098(68)90119-1
- Uchida N. // Phys. Rev. B. 1971. V. 4. P. 3736.
- Беляев Л.М., Бурков В.И., Гильварг А.Б. и др. // Кристаллография. 1975. Т. 20. Вып. 6. С. 1221.
- Кизель В.А., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М.: Наука, 1980. 304 с.
- Акустические кристаллы. Справочник. Под. ред. Шаскольской М.П. М.: Наука, 1982. 632 с.
- Wang P., Zhang Z. // Appl. Opt. 2017. V. 56. P. 1647. https://doi.org/10.1364/AO.56.001647
- Ковальчук М.В., Благов А.Е., Куликов А.Г. и др. // Кристаллография. 2014. Т. 59. С. 950. https://doi.org/10.7868/S0023476114060149
- Куликов А.Г., Благов А.Е., Марченков Н.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 107. С. 679. https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119
- Kulikov A.G., Blagov A.E., Ilin A.S. et al. // J. Appl. Phys. 2020. V. 127. P. 065106. https://doi.org/10.1063/1.5131369
- Иванов-Шиц А.К. // Кристаллография. 2024. Т. 69. № 6. С. 1009. https://doi.org/10.31857/S0023476124060116
- Иванов-Шиц А.К. // Кристаллография. 2025. Т. 70. № 1. С. 62. https://doi.org/10.31857/S0023476125010089
- Smith W., Todorov I.T., Leslie M. // Z. Kristallogr. 2005. B. 220. S. 563. https://doi.org/10.1524/zkri.220.5.563.65076
- English N.J., Waldron C.J. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2015. V. 17. P. 12407. https://doi.org/10.1039/c5cp00629e
- English N.J. // Crystals. 2021. V. 11. P. 1405. https://doi.org/10.3390/cryst11111405
- Jain H., Nowick A. S. // Phys. Status Solidi. A. 1981. V. 67. P. 701. https://doi.org/10.1002/pssa.2210670242
- Wegener J., Kanert O., Küchler R. et al. // Z. Naturforsch. A. 1994. V. 49. P. 1151. https://doi.org/10.1515/zna-1994-1208
- Wegener J., Kanert O., Küchler R. et al. // Radiat. Eff. Defects Solids. 1995. V. 114. P. 277.
- Hartmann E., Kovács L. // Phys. Status Solidi. A. 1982. V. 74. P. 59. https://doi.org/10.1002/pssa.2210740105
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
	1.
	JATS XML
			2.
			Рис. 1. Радиальные парные корреляционные функции для дефектного кристалла TeO2 с 15 вакансиями кислорода (а) и 10 междоузельными атомами кислорода (б) при 1200 К при наложении электрического поля и без поля: Е = 350 кВ/мм вдоль оси с для пар Te–Te (1), Te–O (2) и O–O (3); E = 0 для пар Te–Te (4), Te–O (5) и O–O (6).
							
					
				
								
		
			Скачать (208KB)
		
		
				
			3.
			Рис. 2. Зависимость коэффициента диффузии кислорода при 1400 К от величины приложенного вдоль оси с электрического поля в кристалле, содержащем 15 кислородных вакансий (1) и 10 междоузельных анионов кислорода (2).
							
					
				
								
		
			Скачать (60KB)
		
		
				
			4.
			Рис. 3. Температурные зависимости коэффициента диффузии кислорода в образцах, содержащих 15 кислородных вакансий (а–г) и 10 междоузельных анионов кислорода (д–з) без поля и при наложении электрического поля Е = 350 кВ/мм вдоль разных кристаллографических направлений: 1 – суммарный коэффициент диффузии, 2, 3, 4 – коэффициенты диффузии, измеренные вдоль осей a, b, c соответственно. Цифры у прямых – энергии активации диффузии кислорода Еа.
							
					
				
								
		
			Скачать (497KB)
		
		
	 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 




