Полевые эффекты в электропроводности конденсаторных структур платина/алмазоподобный углерод/платина
- Авторы: Веденеев А.С.1, Рыльков В.В.1,2, Лузанов В.А.1, Николаев С.Н.2, Козлов А.М.1, Бугаев А.С.1,3
- 
							Учреждения: 
							- Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Московский физико-технический институт
 
- Выпуск: Том 68, № 8 (2023)
- Страницы: 827-830
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://cardiosomatics.ru/0033-8494/article/view/650492
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423080132
- EDN: https://elibrary.ru/UTZQTW
- ID: 650492
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Исследованы полевые зависимости электропроводности структур Pt/DLC/Pt на базе тонких слоев высокоомного алмазоподобного углерода (DLC). Показано, что неомическое поведение проводимости структур описывается формулой Френкеля–Пула и связано с коррелированным распределением зарядов в условиях их перколяционного прыжкового транспорта между низкоомными областями DLC.
Об авторах
А. С. Веденеев
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
														Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1						
В. В. Рыльков
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
														Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1; Российская Федерация, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1						
В. А. Лузанов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
														Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1						
С. Н. Николаев
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
														Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1						
А. М. Козлов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
														Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1						
А. С. Бугаев
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: asv335@mail.ru
				                					                																			                												                								Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1; Российская Федерация, 141700, Московской обл., Долгопрудный, Институтский пер., 9						
Список литературы
- Frenkel J. // Phys. Rev. 1938. V. 54. № 8. P. 647.
- Френкель Я.И. // ЖЭТФ. 1938. Т. 8. № 12. С. 1292.
- Hill R.M. // Philosophical Magazine. 1971. V. 23. № 181. P. 59.
- Adachi H., Shibata Y., Ono S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. № 7. P. 988.
- Makram-Ebeid S.S., Lannoo M. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. № 10. P. 6406.
- Nasyrov K.A., Gritsenko V.A. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 9. Article No. 093705.
- Шкловский Б.И. // ФТП. 1979. Т. 13. № 1. С.93.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. // Успехи физ. наук. 1975. Т. 117. № 11. С. 401.
- Насыров К.А., Гриценко В.А. // Успехи физ. наук. 2013. Т. 183. № 10. С. 1099.
- Sharma Y., Misra P., Katiyar R.S. // J. Appl. Phys. 2014. V.116. № 8. Article No. 084505.
- Peng P., Xie D., Yang Y. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V.111. № 8. Article No. 084501.
- Lampert A., Mark P. Current Injection in Solids. N.Y.: Acad. Press, 1970.
- Andreeva N., Ivanov A., Petrov A. // AIP Advances. 2018. V. 8. № 25. Article No. 025208.
- Zhuge F., Dai W., He C. L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. № 16. Article No.163505.
- Takabayasi S., Yang M., Ogawa Sh. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. № 9. Article No. 093507.
- Веденеев А.С., Лузанов В.А., Рыльков В.В. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 3. С. 170.
- Liao X., Zhang X., Takai K., Enoki T. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. № 1. P. 013709.
- Pollak M., Hauser J.J. // Phys. Rev. Lett. 1973. V. 31. № 21. P.1304.
- Райх М.Э., Рузин И.М. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. № 9. С. 437.
- Лузанов В.А., Веденеев А.С. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. С. 1007.
- Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 213.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
- Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. // ФТП. 2005. Т. 39. № 7. С. 844 .
- Николаев С.Н., Веденеев А.С., Лузанов В.А. и др. // РЭ. 2021. Т.66. № 10. С.1024.
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 




