Разработка лампы бегущей волны W-диапазона с ленточным электронным пучком и замедляющей системой типа сдвоенная гребенка
- Авторы: Титов В.Н.1,2, Чистяков И.А.1,3, Навроцкий И.А.1,3, Золотых Д.Н.1,3, Торгашов Р.А.1,2, Абрамов О.Р.2, Горшкова Е.В.3, Емельянов В.В.1,3, Рыскин Н.М.1,2
- 
							Учреждения: 
							- Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
- АО «НПП «Алмаз»
 
- Выпуск: Том 69, № 7 (2024)
- Страницы: 648-655
- Раздел: ЭЛЕКТРОНИКА СВЧ
- URL: https://cardiosomatics.ru/0033-8494/article/view/681461
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424070067
- EDN: https://elibrary.ru/HYYCQE
- ID: 681461
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Приведены результаты разработки лампы бегущей волны O-типа W-диапазона с ленточным электронным пучком. Разработана и оптимизирована конструкция замедляющей системы в виде сдвоенной гребенки с широкополосными согласующими устройствами ввода–вывода, проведен расчет ее электродинамических параметров. Представлены результаты трехмерного компьютерного моделирования процессов усиления в ЛБВ методом частиц в ячейке. Получен коэффициент усиления, превышающий 30 дБ в полосе частот около 25 ГГц. Разработан и изготовлен макет электронной пушки с прессованным импрегнированным катодом, фокусирующим электродом и анодом, обеспечивающий формирование ленточного электронного пучка с высокоаспектным соотношением сторон и током 0.1 А. Представлена конструкция вакуумного окна, обсуждается технология его изготовления.
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
В. Н. Титов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Астраханская, 83, Саратов, 410012И. А. Чистяков
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; АО «НПП «Алмаз»
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Панфилова, 1, Саратов, 410033И. А. Навроцкий
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; АО «НПП «Алмаз»
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Панфилова, 1, Саратов, 410033Д. Н. Золотых
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; АО «НПП «Алмаз»
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Панфилова, 1, Саратов, 410033Р. А. Торгашов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Астраханская, 83, Саратов, 410012О. Р. Абрамов
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Астраханская, 83, Саратов, 410012						
Е. В. Горшкова
АО «НПП «Алмаз»
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Панфилова, 1, Саратов, 410033						
В. В. Емельянов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; АО «НПП «Алмаз»
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Панфилова, 1, Саратов, 410033Н. М. Рыскин
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
														Email: torgashovra@gmail.com
				                					                																			                								
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Россия, ул. Зеленая, 38, Саратов, 410019; ул. Астраханская, 83, Саратов, 410012Список литературы
- Григорьев А.Д. Терагерцевая электроника. М.: Физматлит, 2021.
- Zhang X.-C., Xu J. Introduction to THz Wave Photonics. N.Y.: Springer, 2010. https://doi.org/10.1007/978-1-4419-0978-7
- Rieh J.-S. Introduction to Terahertz Electronics. N.Y.: Springer, 2021. https://doi.org/10.1007/978-3-030-51842-4
- THz Communications. Paving the Way Towards Wireless Tbps / Eds T.Kürner, D.M. Mittleman, T. Nagatsuma. Springer Series in Optical Sciences. V. 234. N.Y.: Springer, 2022. https://doi.org/10.1007/978-3-030-73738-2
- Paoloni C., Gamzina D., Letizia R. et al. // J. Electromag. Waves Appl. 2021. V. 35. № 5. P. 567. https://doi.org/10.1080/09205071.2020.1848643
- Shin Y.M., Baig A., Barnett L.R. et al. // IEEE Trans. 2011. V. ED-58. № 9. P. 3213. https://doi.org/10.1109/TED.2011.2159842
- Baig A., Gamzina D., Kimura T. et al. // IEEE Trans. 2017. V. ED-64. № 5. P. 2390. https://doi.org/10.1109/TED.2017.2682159
- Karetnikova T.A., Rozhnev A.G., Ryskin N.M. et al. // IEEE Trans. 2018. V. ED-65. № 6. P. 2129. https://doi.org/10.1109/TED.2017.2787960
- Shin Y.-M., Stockwell B., Begum R., et al. // IEEE Trans. 2023. V. ED-70. № 6. P. 2738. https://doi.org/10.1109/TED.2023.3241834
- Zhang C., Pan P., Cai J. et al. // IEEE Trans. 2023. V. ED-70. № 6. P. 2798. https://doi.org/10.1109/TED.2022.3233291
- Yang R., Xu J., Yue L. et al. // IEEE Trans. 2022. V. ED-69. № 5. P. 2656. https://doi.org/10.1109/TED.2022.3161255
- Рожнев А.Г., Рыскин Н.М., Каретникова Т.А. и др. // Изв. вузов. Радиофизика. 2013. Т. 56. № 8—9. С. 601.
- Каретникова Т.А., Рожнев А.Г., Рыскин Н.М. и др. // РЭ. 2016. Т. 61. № 1. С. 54. https://doi.org/10.1134/S1064226915120116
- Давидович М.В. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 2. С. 280. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.02.47084.80-18
- Shin Y.-M., Barnett L.R., Luhmann N.C. // IEEE Trans. 2009. V. ED-56. № 5. P. 706. https://doi.org/10.1109/TED.2009.2015404
- Wang J., Shu G., Liu G. et al. // IEEE Trans. 2016. V. ED-63. № 1. P. 504. https://doi.org/10.1109/TED.2015.2502620
- Srivastava V., Srivastava N. // 3rd Intern. Conf. and Workshops on Recent Advances and Innovations in Engineering (ICRAIE). Jaipur, India. 22–25 Nov. N.Y.: IEEE, 2018. P. 1. https://doi.org/10.1109/ICRAIE.2018.8710392
- Srivastava V. // IETE Tech. Rev. 2018. V. 36. № 5. P. 501. https://doi.org/10.1080/02564602.2018.1509738
- Zheng Y., Gamzina D., Himes L. et al. // IEEE 2020. V. THz-10. № 4. P. 411. https://doi.org/10.1109/TTHZ.2020.2995826
- Nguyen K.T., Pasour J.A., Antonsen T.M. et al. // IEEE Trans. 2009. V. ED56. № 5. P. 744. https://doi.org/10.1109/TED.2009.2015420
- Ruan C., Wang S., Han Y., et al. // IEEE Trans. 2014. V. ED-61. № 6. P. 1643. https://doi.org/10.1109/TED.2014.2299286
- Navrotsky I.A., Burtsev A.A., Emelyanov V.V. et al. // IEEE Trans. 2021. V. ED-68. № 2. P. 798. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3041425
- Zheng Y., Gamzina D., Popovic B., Luhmann N.C. // IEEE Trans. 2016. V. ED-63. № 11. P. 4466. https://doi.org/10.1109/TED.2016.2606322
- Yang L., Wang J., Li H., et al. // IEEE Trans. 2017. V. TPS-45. № 5. P. 805. https://doi.org/10.1109/TPS.2017.2688480
- Zhang C., Pan P., Chen X. et al. // Electronics. 2021. V. 10. Р. 3051. https://doi.org/10.3390/electronics10243051
- Yin P.C., Xu J., Yang R.C. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2022. V. 43. № 8. P. 1343. https://doi.org/10.1109/LED.2022.3187160
- Cook A.M., Joye C.D., Kimura T. et al. // IEEE Trans. 2013. V. ED-60. № 3. P. 1257. https://doi.org/10.1109/TED.2012.2232929
- Сазонов В.П., Терехина З.Н., Лямзин В.М. // Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ. 1972. Вып. 3(8). С. 1.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 











