Особенности формирования ячеистых микроструктур в пленках ферритов-гранатов методом ионно-лучевого травления

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты формирования ячеистых микроструктур в диэлектрических пленках ферритов-гранатов с использованием локальной модификации поверхности (травления) пленок с помощью сфокусированного ионного пучка. Показано, что для компенсации возникающего в процессе травления поверхностного заряда в ферритах-гранатах эффективно использование сканирующего электронного микроскопа одновременно при работе с ионной колонной, причем без предварительного напыления на пленку дополнительного проводящего слоя. Для реализации внутри ячеек монодоменного состояния глубина травления должна составлять более половины исходной толщины пленки, а при выборе латеральных размеров ячеек необходимо учитывать размеры исходной доменной структуры в пленке.

Об авторах

А. А. Федорова

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Email: danilova.aa@phystech.edu
ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009 Российская Федерация; Институтский пер., 9, Долгопрудный, Московская область, 141700 Российская Федерация

А. П. Орлов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009 Российская Федерация

С. А. Никитов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009 Российская Федерация; Институтский пер., 9, Долгопрудный, Московская область, 141700 Российская Федерация

М. В. Логунов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет); Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009 Российская Федерация; Институтский пер., 9, Долгопрудный, Московская область, 141700 Российская Федерация; Покровский бульвар, 11, Москва, 109028 Российская Федерация

Список литературы

  1. Flebus B., Grundler D., Rana B., et al. // J. Phys.: Cond. Matt. 2024. V. 36. № 36. P. 363501.
  2. Petti D., Tacchi S., Albisetti E. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2022. V. 55. № 29. P. 293003.
  3. Kharratian S., Urey H., Onbaşlı M.C. // Adv. Opt. Mater. 2020. V. 8. № 1. P. 1901381.
  4. Logunov M.V., Safonov S.S., Fedorov A.S., et al. // Phys. Rev. Appl. 2021. V. 15. № 6. P. 064024.
  5. Aoshima K., Funabashi N., Higashida R. et al. // Opt. Express. 2023. V. 31. № 13. P. 21330.
  6. Blank T.G.H., Mashkovich E.A., Grishunin K.A. et al. // Phys. Rev. B. 2023. V. 108. № 9. P. 094439.
  7. Ignatyeva D.O., Karki D., Voronov A.A. et al // Nature Commun. 2020. V. 11. № 1. P. 5487.
  8. Kim S.K., Beach G.S.D., Lee K.-J. et al. // Nature Materials. 2022. V. 21. № 1. P. 24.
  9. Kharratian S., Urey H., Onbaşlı M.C. // Sci. Rep. 2019. V. 9. № 1. P. 644.
  10. Higashida R., Kawana M., Aoshima K., Funabashi N. // Proc. Optica Imaging Congr. 3D Image Acquisition and Display. Boston, 2023. N.Y.: Optica Publ. Group, 2023. P. JTu4A.47.
  11. Лузанов В.А., Балашов В.В., Лопухин К.В. // РЭ. 2022. Т. 67. № 6. С. 612.
  12. Schlitz R., Helm T., Lammel M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. № 25. P. 252401.
  13. Yao N. Focused Ion Beam Systems: Basics and Applications. Cambridge: Univ. Press, 2007
  14. Vernon-Parry K.D. // III–Vs Rev. 2000. V. 13. № 4. P. 40.
  15. Фролов А.В., Синченко А.А., Орлов А.П. et al. // Нелинейный мир. 2017. Т. 15. № 2. С. 39.
  16. Latyshev Y., Smolovich A., Orlov A. et al.// Nanosci. Nanoeng. 2015. V. 3. № 2. P. 13.
  17. Мамонов Е.А., Новиков В.Б., Майдыковский А.И. et al. // ЖЭТФ. 2023. Т. 163. № 1. С. 41.
  18. Vansteenkiste A., Leliaert J., Dvornik M. и др. // AIP Advances. 2014. V. 4. № 10. P. 107133.
  19. Leliaert J., Dvornik M., Mulkers J. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2018. V. 51. № 12. P. 123002.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025