MEKhANIZM MEZhZONNOY OZhE-REKOMBINATsII V InGaN/GaN KVANTOVYKh YaMAKh V PRISUTSTVII VSTROENNOGO P'EZOELEKTRIChESKOGO POLYa

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.

About the authors

D. M Samosvat

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: samosvat@yandex.ru
Санкт-Петербург, Россия

V. V Grishunov

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: vlad.grishunowf@gmail.com
Санкт-Петербург, Россия

G. G Zegrya

Сектор теоретических основ микроэлектроники, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: zegrya@theory.ioffe.ru
Санкт-Петербург, Россия

References

  1. J. Bhardwaj, J. M. Cesaratto, I. H. Wildeson et al., Phys. Status Solidi A 214, 1600826 (1999).
  2. P. M. Pattison, M. Hansen, and J. Y. Tsao, C. R. Phys. 19, 134 (2018).
  3. Y. Zhao, H. Fu, G. T. Wang, and S. Nakamura, Adv. Opt. Photon. 10, 246 (2018).
  4. G. Verzellesi, D. Saguatti, M. Meneghini et al., J. Appl. Phys. 114, 071101 (2013).
  5. L. Wang, J. Jin, Ch. Mi et al., Materials 10, 1233 (2017), doi: 10.3390/mal0111233.
  6. S. Karpov, Opt. Quant. Electron. 47, 1293 (2015).
  7. F. Bertazzi, M. Goano, and E. Bellotti, Appl. Phys. Lett. 97, 231118 (2010).
  8. E. Kioupakis, P. Rinke, K. T. Delaney, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 98, 161107 (2011).
  9. A. V. Zinovchuk and A. M. Gryschuk, Opt. Quant. Electron. 50, 455 (2018).
  10. M. Brendel, A. Kruse, H. Jonen et al., Appl. Phys. Lett. 99, 031106 (2011).
  11. H. Y. Ryu, K. S. Jeon, M. G. Kang et al., Sci. Rep. 7, 44814 (2017).
  12. C.-K. Tan, W. Sun, J. J. Wiener, and N. Tansu, AIP Adv. 7, 035212 (2017).
  13. I. Reklaitis, L. Krencius, T. Malinauskas et al., Semicond. Sci. Technol. 34, 015007 (2018).
  14. H.-Y. Ryu, H.-S. Kim, and J.-I. Shim, Appl. Phys. Lett. 95, 081114 (2009).
  15. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, L. Sulmoni et al., J. Appl. Phys. 109, 093106 (2011).
  16. M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
  17. G. G. Zegrya and V. A. Kharchenko, Sov. Phys. JETP 74, 173 (1992).
  18. A. S. Polkovnikov and G. G. Zegrya, Phys. Rev. B 58, 4039 (1998).
  19. J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti et al., Phys. Rev. Lett. 110, 177406 (2013).
  20. F. Bertazzi, M. Goano, Xiangyu Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 106, 061112 (2015).
  21. N. Anchal, A. Pansari, and B. K. Sahoo, AIP Conf. Proc. 2220, 050008 (2020).
  22. X. Li, E. DeJong, R. Armitage et al., Appl. Phys. Lett. 123, 112109 (2023).
  23. D. Jenkins, in Band Structure of InN, GalnN and AlInN, ed. by E. D. Series, Publisher, Address (1994), Vol. 11.
  24. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
  25. R. Vaxenburg, A. Rodina, E. Lifshitz, and A. L. Efros, Appl. Phys. Lett. 103, 221111 (2013).
  26. D. Samosvat, A. Karpova, and G. Zegrya, Appl. Phys. A 131, 99 (2025).
  27. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Sol. 1, 249 (1957).
  28. I.-J. Chen, S. Thorberg, and Y. Chen, in Calculation on the Band Structure of GaAs Using k · p-theory FFF 042, Publisher, Address (2014).
  29. A. Polkovnikov and R. A. Suris, Phys. Rev. B 62, 16566 (2000).
  30. H. Bateman and B. M. Project, Higher Transcendental Functions, Vol. I-III, McGraw-Hill Book Comp., Address (2023).
  31. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995).

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2025 Russian Academy of Sciences