Анализ влияния структуры ZnS:Cu,Br люминофоров на люминесцентные характеристики с применением теории перколяции
- Autores: Зеленина Е.В.1,2, Сычев М.М.1,3, Снятков И.В.1, Чуркина А.В.1
- 
							Afiliações: 
							- Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
- АО «Радиевый Институт им. В. Г. Хлопина»
- Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова (филиал НИЦ «Курчатовский институт» — ПИЯФ – ИХС)
 
- Edição: Volume 50, Nº 5 (2024)
- Páginas: 464-473
- Seção: Articles
- URL: https://cardiosomatics.ru/0132-6651/article/view/679501
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0132665124050092
- EDN: https://elibrary.ru/NSKKGX
- ID: 679501
Citar
Texto integral
 Acesso aberto
		                                Acesso aberto Acesso está concedido
						Acesso está concedido Acesso é pago ou somente para assinantes
		                                							Acesso é pago ou somente para assinantes
		                                					Resumo
При синтезе ZnS:Cu,Br люминофоров (сульфид цинка активированный ионами меди и брома) формируется композитная вюрцитно-сфалеритная структура, а интенсивность свечения и содержание центров свечения в виде донорно-акцепторных пар CuZn-BrS достигают максимума при определенной доле вюрцитной фазы в люминофоре. Это подтверждается исследованием фазового состава синтезированных люминофоров и изменениями спектров радиолюминесценции. Наблюдаемый результат предложено объяснить с привлечением представлений теории перколяции, учитывая, что формирование люминофорной матрицы композитного вюрцитно-сфалеритного состава способствует увеличению скорости диффузии ионов активатора и соактиватора (Cu+ и Br–) по межфазной границе и формированию центров свечения. Показано, что радиационное воздействие, способствующее образованию структурных дефектов в исходной матрице ZnS, дополнительно повышает интенсивность люминесценции. Применение данного подхода позволяет создавать материалы с оптимальной наноструктурой и высокими целевыми характеристиками.
Texto integral
 
												
	                        Sobre autores
Е. Зеленина
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); АО «Радиевый Институт им. В. Г. Хлопина»
							Autor responsável pela correspondência
							Email: elena.v.zelenina@gmail.com
				                					                																			                												                	Rússia, 							Санкт-Петербург; Санкт-Петербург						
М. Сычев
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова (филиал НИЦ «Курчатовский институт» — ПИЯФ – ИХС)
														Email: elena.v.zelenina@gmail.com
				                					                																			                												                	Rússia, 							Санкт-Петербург; Санкт-Петербург						
И. Снятков
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
														Email: elena.v.zelenina@gmail.com
				                					                																			                												                	Rússia, 							Санкт-Петербург						
А. Чуркина
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)
														Email: elena.v.zelenina@gmail.com
				                					                																			                												                	Rússia, 							Санкт-Петербург						
Bibliografia
Arquivos suplementares
 
				
			 
						 
						 
					 
						 
						 
									

 
  
  
  Enviar artigo por via de e-mail
			Enviar artigo por via de e-mail 





