Граница области стеклообразования в тройных системах Tm–As–S и Tm–As–Se
- Авторы: Ильяслы Т.М.1, Гахраманова Г.Г.1, Исмаилов З.И.1
- 
							Учреждения: 
							- Бакинский государственный университет
 
- Выпуск: Том 49, № 2 (2023)
- Страницы: 217-220
- Раздел: КРАТКОЕ СООБЩЕНИЕ
- URL: https://cardiosomatics.ru/0132-6651/article/view/663267
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0132665122100031
- EDN: https://elibrary.ru/NOTPOQ
- ID: 663267
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
На основании данных, полученных комплексными методами физико-химического анализа по исследованию различных разрезов тройных систем Tm–As–S(Se) и используя литературные данные, определена граница области стеклообразования системы Tm–As–S и Tm–As–Se. Установлено, что при скорости охлаждения 10°C/мин в системе Tm–As–S область стеклообразования стекла системы составляет 33 aт. % от общей площади треугольника, а при скорости охлаждения 102°C/мин 51 aт. % от общей площади треугольника. В системе Tm–As–Se при указанных режимах охлаждения область стекла составляет 35 и 54 aт. % соответственно.
Ключевые слова
Об авторах
Т. М. Ильяслы
Бакинский государственный университет
														Email: zakir-51@mail.ru
				                					                																			                												                								Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23						
Г. Г. Гахраманова
Бакинский государственный университет
														Email: zakir-51@mail.ru
				                					                																			                												                								Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23						
З. И. Исмаилов
Бакинский государственный университет
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: zakir-51@mail.ru
				                					                																			                												                								Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23						
Список литературы
- Дембовский С.А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990. 380 с.
- Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. ЛГУ. 1983. 263 с.
- Цэндин К.Д. Электронные явления в стеклообразных полупроводниках. М.: Наука, 1996. 486 с.
- Козюхин С.А., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халь когенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39(8). С. 1012–2016.
- Фатуллаева Г.М., Бахтиярлы И.Б., Керимли О.Ш. Физико-химические исследования стеклообразования в системе As2S3–Er2O3. // Журн. Учен. Записки. 2017. № 2. С. 102–106.
- Худиева А.Г., Ильяслы Т.М., Исмаилов З.И. Исследование тройной системы Nd–As–S по различном разрезом // Международный журн. прикладных и фундаменталных исследований. 2016. № 4(5). С. 902–905.
- Mochalov L., Logunov A., Zelentsov S., Kudryashov M., Nezhdanov A., Gogova D., Mashin A.A Novel method for synthesis of arsenic sulfide films employing conversion of arsenic monosulfide in a plasma discharge // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 264–271.
- Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Исмаилов З.И. // Стеклоообразование в тройной системе Tm–As–S // East European Scientific J. 2018. № 3(2). С. 60–64.
- Zakery A., Elliott S. Optical properties and applications of chalcogenide glasses: a review // J. Non-Crystalline Solids. 2003. № 1–3(330). P. 1–12.
- Ilyasly T.M., Gahramanova G.H., Abbasova R.F., Veysova S.M., İsmailov Z.İ. İnvestigation of the electrical properties of glasses of Tm–As–S and Tm–As–Se systems // Neü materials, Compounds and Applications. Baku: 2021. V. 5. № 3. P. 227–234.
- Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Наджафоглы Г. Кристаллизация стекло на основе As2S3 c участием Tm методом ДТА // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 44–46.
- Ильяслы Т.М., Садыгов Ф.М., Байрамова У.Р., Мамедова Л.М., Кахраманова Г.Г. Квазибинарные разрезы As2S3–ТmS и As2S3–Тm2S3 тройной системы Тm–As–S // Межд-ный журн. прекд. и фунда-ных иссл-ный. 2017. № 8. Ч. 1. С. 40–44.
- Ильяслы Т.М., Худиева А.Г., Исмаилов З.И. Стеклообразования и свойства стекол на основе As2S3 с участием Dy и его сульфидов // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 62–66.
- Ashok U., Monali V., Yogesh S. Synthesis of Nanostructured As2S3 thin films by chemical Route: Effect of complexing agent // İnternational Conference: Benchmarks in Engineering Science and Technology İCBEST, -7-8 September, 2012. P. 15–17.
- Ильяслы Т.М., Гасанова Д.Т., Исмаилов З.И. Исследование области стеклообразования по разрезам As2S3-HoS и As2S3-Ho2S3 // Восточно Европейский журн. 2021. Т. 2(66). С. 72–77.
- Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. 176 с.
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 




