Chemical polishing of CdZnTe substrates with achievement of surface morphology for synthesis of A2B6 solid solutions by molecular beam epitaxy

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

The structural perfection of the HgCdTe epitaxial layer with a minimum number of extended structural defects is ensured using the molecular beam epitaxy method, as well as growth on substrates matched to the crystal lattice parameter. CdZnTe (211)B substrates manufactured at Orion R&P Association JSC have a thickness variation (TTV) of less than 1.5 μm and a surface roughness of Ra = 0.45 nm (rms = 0.58 nm).

全文:

受限制的访问

作者简介

A. Trofimov

Orion R&P Association JSC; MIREA — Russian Technological University

编辑信件的主要联系方式.
Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow; Moscow

I. Denisov

Giredmet JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

M. Grishechkin

Giredmet JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

D. Tsaregorodcev

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

A. Goncharov

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

K. Gladysheva

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

V. Malygin

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

A. Kosyakova

Orion R&P Association JSC

Email: aa-trofimov@yandex.ru
俄罗斯联邦, Moscow

参考

  1. Rogalski A. Infrared detectors. CRC Press, 2019. 898 p.
  2. Бурлаков И.Д., Болтарь К.О., Кузнецов С.А. и др. // В кн.: Материалы XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). 475 с.
  3. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2001. Т. 35. № 9. С. 1092. // Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35. No. 9. P. 1092.
  4. Якушев М.В., Брунев Д.В., Варавин В.С. и др. // Физ. и техн. полупровод. 2011. Т. 45. № 3. С. 396; Yakushev M.V., Brunev D.V., Varavin V.S. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. No. 3. P. 396.
  5. Якушев М.В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si. Дисс. … докт. физ.-мат. наук. Новосибирск: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 2011. 251 с.
  6. Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В. и др. // УПФ. 2018. Т. 6. № 6. С. 501.
  7. Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин В.С. и др. // Тезисы докл. XXVI Междунар. научно-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. (Москва, 2022). С. 66.
  8. Capper P. Mercury Cadmium Telluride. Growth, properties and applications. Wiley, 2011. 600 р.
  9. de Lyon T.J., Rajavel R.D., Roth J.A. et al. // In: Handbook of infrared detection technoloqies. Ch. 9. Elsevier Science, 2002. P. 309.
  10. Павлюк М.Д. Детекторные кристаллы на основе CdTe и CdZnTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов. Дисс. … канд. физ.-мат наук. Москва: ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, 2020. 153 с.
  11. Трофимов А.А., Денисов И.А., Смирнова Н.А. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 3. С. 289.
  12. Трофимов А.А., Денисов И.А., Гришечкин М.Б. и др. // Тезисы докладов ФОТОНИКА 2023. (Новосибирск, 2023). С. 24.
  13. Гришечкин М.Б., Денисов И.А., Силина А.А. и др. // Прикл. физ. 2014. № 5. С. 72.
  14. Grishechkin M.B., Denisov I.A., Silina A.A. et al. // Non-Ferrous Metals. 2016. No. 2. P. 23.
  15. Кузнецов И.А., Ларюшина Н.Н., Смирнов А.С. и др. Устройство для синтеза сверхтвердых материалов. Патент РФ № 2671731. 2017.
  16. Жуков Б.П. Энергетические конденсированные системы. Краткий энциклопедический словарь. М.: Янус-К, 1999. 595 с.
  17. ТУ 321212-001-07512007-2019 Микропорошок алмазный поликристаллический детонационный. АО «ГосНИИмаш».
  18. Трофимов А.А., Ухабин О.А., Смирнов А.С. и др. // УПФ. 2022. Т. 10. № 5. С. 459.
  19. Мирофянченко Е.В., Мирофянченко А.Е., Попов В.С. // Прикл. физ. 2020. № 2. С. 46.
  20. Moravec P., Höschl P., Franc J. et al. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. No. 6. P. 1206.
  21. Lauten O. Comparative study of CdZnTe substrates prepared by different methods. Master of science in physics and mathematics thesis. Norwegian University of Science and Technology, 2017.
  22. Kakkireni S. Сhemical polishing of cadmium zinc telluride (CdZnTe) and cadmium telluride (CdTe) for molecular beam epitaxy (MBE) applications. Master of science in mechanical engineering thesis. Washington State University, 2017.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2. Fig. 1. Measurement of the surface roughness of a 30×30 μm2 area of the CdZnTe sample after prefinish polishing. At a length of 26 μm2, Ra = 1.55 nm, rms = 1.93 nm.

下载 (32KB)
索引源数据
3. Fig. 2. Evaluation of the surface morphology and roughness of a 337´282 μm2 area of the CdZnTe sample after final chemical-mechanical polishing. At a length of 330 μm2, Ra = 0.69 nm, rms = 0.80 nm.

下载 (29KB)
索引源数据
4. Fig. 3. Measurement of the surface roughness of a 15´15 μm2 area of the CdZnTe sample after final chemical-mechanical polishing. At a length of 21 μm, Ra = 0.45 nm, rms = 0.58 nm.

下载 (38KB)
索引源数据
5. Fig. 4. Results of preparation of commercially available CdZnTe substrates with crystallographic orientation (211) B for growing HgCdTe by MBE: substrate of size 20x20 mm2, atomic force microscope image of 5x5 μm2 region, rms = 0.44 nm (a); substrate of size 25x25 mm2 (Nippon, Japan), atomic force microscope image of 5x5 μm2 region, rms = 0.3 nm (in the center of the region), rms = 0.95 nm (taking into account Te precipitates) (b); substrate of size 15x15 mm2 (Nippon, Japan), atomic force microscope image of 20x20 μm2 region, rms = 1.0 nm (c).

下载 (14KB)
索引源数据

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024