Возбужденные состояния экситонов в монослоях MoSe2 и WSe2

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Методом оптической спектроскопии отражения исследованы экситоны в монослоях MoSe2 и WSe2, инкапсулированных гексагональным нитридом бора. Изучены основные и возбужденные состояния А- и В-экситонов при температурах от гелиевой до комнатной. В спектре отражения отчетливо наблюдаются линии экситонов А:1s, В:1s и их возбужденные состояния А:2s, А:3s, В:2s. Наблюдаемые формы линий спектра отражения монослоев дихалькогенидов переходных металлов зависят от толщины используемых в структуре слоев hBN и находятся в хорошем соответствии с численным моделированием методом матриц переноса. Впервые на основе данных эксперимента и выполненных расчетов энергии связи экситонов получены значения приведенных масс В-экситонов.

Об авторах

Г. М Голышков

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

А. С Бричкин

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

В. Е Бисти

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Email: bisti@issp.ac.ru
Черноголовка, Россия

А. В Черненко

Институт физики твердого тела им. Ю.А.Осипьяна РАН

Черноголовка, Россия

Список литературы

  1. G. Wang, A., M.M. Glazov, T. F. Heinz, X. Marie, T. Amand, and B. Urbaszek. Rev. Mod. Phys. 90, 021001 (2018).
  2. М. В. Дурнев, М.М. Глазов. УФН 188, 913 (2018).
  3. M.M.Glazov. J. Chem. Phys. 153, 034703 (2020).
  4. A. Chernikov, A.M. van der Zande, H.M. Hill, A. F. Rigosi, A. Velauthapillai, J. Hone, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 115, 126802 (2015).
  5. B. Aslan, C. Yule, Y. Yu, Y. J. Lee, T. F. Heinz, L. Cao, and M. L. Brongersma, 2D Mater. 9, 015002 (2022).
  6. C. Robert, M.A. Semina, F. Cadiz, M. Manca, E. Courtade, T. Taniguchi, K. Watanabe, H. Cai, S. Tongay, B. Lassagne, P. Renucci, T. Amand, X. Marie, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. Mater. 2, 011001 (2018); htpp://link.aps.org/supplemental/10.1103/PhysRevMaterials.2.011001.
  7. B. Han, C. Robert, E. Courtade, M. Manca, S. Shree, T. Amand, P. Renucci, T. Taniguchi, K. Watanabe, X. Marie, L.E. Golub, M.M. Glazov, and B. Urbaszek, Phys. Rev. X 8, 031073 (2018).
  8. M.R. Molas, A.O. Slobodeniuk, K. Nogajewski, M. Bartos, L. Bala, A. Babinski, K. Watanabe, T. Taniguchi, C. Faugeras, and M. Potemski, Phys. Rev. Lett. 123, 136801 (2019).
  9. A.V. Stier, N.P. Wilson, K.A. Velizhanin, J. Kono, X. Xu, and S.A. Crooker, Phys. Rev. Lett. 120, 057405 (2018).
  10. M. Goryca, J. Li, A.V. Stier, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Courtade, S. Shree, C. Robert, B. Urbaszek, X. Marie, and S.A. Crooker, Nat. Commun. 10, 4172 (2019); https://doi.org/10.1038/s41467-019-12180-y.
  11. А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.В. Черненко, ЖЭТФ 163, 852 (2023).
  12. А.В. Черненко, А.С. Бричкин, Г.М. Голышков, А.Ф. Шевчун, Известия РАН, серия физическая 87, 189 (2023).
  13. E. L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, Alpha Science, Harrow, UK (2005).
  14. I.C. Gerber, E. Courtade, Sh. Shree, C. Robert, T. Taniguchi, K. Watanabe, A. Balocchi, P. Renucci, D. Lagarde, X. Marie, and B. Urbaszek, Phys. Rev. B 99, 035443 (2019).
  15. R. Geick, C.H. Perry, and G. Rupprecht, Phys. Rev. 146, 543 (1966).
  16. Н.С. Рытова, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физ. Астрон. 3, 30 (1967).
  17. Л.В. Келдыш, Письма в ЖЭТФ 29, 716 (1979).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024