Влияние условий формирования пленок оксида гафния на структурные и электрофизические свойства гетероструктур

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Пленки оксида гафния (HfO2) синтезированы на кремниевые подложки методом магнетронного распыления при различных технологических режимах. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO2 и электрофизических свойств гетероструктур металл–диэлектрик–полупроводник (Ni–HfO2–Si) на их основе.

Об авторах

М. С. Афанасьев

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1

Д. А. Белорусов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1

Д. А. Киселев

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1

В. А. Лузанов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1

Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1

Список литературы

  1. Wang Y., Chen W.-J., Wang B., Zheng Yu. // Materials. 2014. V. 7. P. 6377. https://doi.org/10.3390/ma7096377
  2. Khosla R., Sharma S.K. // ACS Appl. Electronic Mater. 2021. V. 3. № 7. P. 2862. https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00851
  3. Chou Ch.-P., Lin Y.-X., Huang Y.-K. et al. // ACS Appl. Mater. & Interfaces. 2020. V. 12. № 1. P. 1014. https://doi.org/10.1021/acsami.9b16231
  4. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011.
  5. Yuan G., Wang Ch., Tang W. et al. // Acta Physica Sinica. 2023. Article ASAP. https://doi.org/10.7498/aps.72.20222221
  6. Setter N., Damjanovic D., Eng L. et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 051606. https://doi.org/10.1063/1.2336999
  7. Scott J.F. // Science. 2007. V. 315. № 5814. P. 954. https://doi.org/10.1126/science.1129564
  8. Ihlefeld J.F., Jaszewski S.T., Fields S.S. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. № 24. P. 240502. https://doi.org/10.1063/5.0129546
  9. Fujimoto K., Sato Y., Fuchikami Y. et al. // J. Amer. Ceramic Soc. 2022. V. 105. № 4. P. 2823. https://doi.org/10.1111/jace.18242
  10. Hsain H.A., Lee Y., Materano M. et al. // J. Vacuum Science & Technol. A. 2022. V. 40. № 1. P. 010803. https://doi.org/10.1116/6.0001317
  11. Chouprik A., Negrov D., Tsymbal E.Y., Zenkevich A. // Nanoscale. 2021. V. 13. № 27. P. 11635. https://doi.org/10.1039/D1NR01260F
  12. Lee D.H., Lee Y., Yang K. et al. // Appl. Phys. Rev. 2021. V. 8. № 2. P. 021312. https://doi.org/10.1063/5.0047977
  13. Nukala P., Ahmadi M., Wei Y. et al. // Science. 2021. V. 372. № 6542. P. 630. https://doi.org/10.1126/science.abf3789
  14. Jiang P., Luo Q., Xu X. et al. // Advanced Electronic Mater. 2021. V. 7. № 1. P. 2000728. https://doi.org/10.1002/aelm.202000728
  15. Aldrigo M., Dragoman M., Iordanescu S. et al. // Nanomaterials. 2020. V. 10. № 10. P. 2057. https://doi.org/10.3390/nano10102057
  16. Lomenzo P.D., Jachalke S., Stoecker H. et al. // Nano Energy. 2020. V. 74. P. 104733. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104733
  17. Quan Zh., Wang M., Zhang X. et al. // AIP Advances. 2020. V. 10. № 8. P. 085024. https://doi.org/10.1063/5.0013511
  18. Zhang Y., Yang Q., Tao L. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 14. № 1. P. 014068. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.014068
  19. Schenk T., Pešić M., Slesazeck S. et al. // Reports on Progress in Physics. 2020. V. 83. № 8. P. 086501. https://doi.org/10.1088/1361-6633/ab8f86
  20. Locatelli N., Diez L.H., Mikolajick T. Memristive Devices for Brain-Inspired Computing. Cambridge: Woodhead Publ., 2020. P. 97. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-102782-0.00004-6
  21. Черникова А.Г., Красников Г.Я., Горнев Е.С. и др. // Наноиндустрия. 2018. № 8. С. 281. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2018.82.281
  22. Gannepalli A., Yablon D.G., Tsou A.H., Proksch R. // Nanotechnology. 2013. V. 24. P. 159501. https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/15/159501
  23. Bian J., Xue P., Zhu R. et al. // Appl. Mater. Today. 2020. V. 21. P. 100789. https://doi.org/10.1016/j.apmt.2020.100789
  24. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. // ПТЭ. 1997. № 6. С. 110.
  25. Афанасьев М.С., Киселев Д.А., Левашов С.А. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. № 10. С. 1948.

Дополнительные файлы


© М.С. Афанасьев, Д.А. Белорусов, Д.А. Киселев, В.А. Лузанов, Г.В. Чучева, 2023