Анализ пассивного смесителя частот с управлением по току при использовании защитных интервалов сигналов гетеродина
- Авторы: Чан Т.Д.1, Коротков А.С.1
- 
							Учреждения: 
							- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
 
- Выпуск: Том 69, № 3 (2024)
- Страницы: 288-298
- Раздел: НОВЫЕ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ И ЭЛЕМЕНТЫ
- URL: https://cardiosomatics.ru/0033-8494/article/view/650703
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424030085
- EDN: https://elibrary.ru/JUYVNY
- ID: 650703
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Предложена обобщенная методика анализа схемы пассивного смесителя частот с управлением по току при использовании защитных интервалов между соседними импульсами сигналов гетеродина. Приведены результаты расчета и моделирования в среде Micro-Cap для двух случаев входного импеданса смесителя: RLC-контур, RC-цепь. Рассмотрены зависимости модуля передаточного импеданса смесителя для различных длительностей защитных интервалов.
Ключевые слова
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
Т. Д. Чан
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
														Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
А. С. Коротков
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
Список литературы
- Lin F., Mak P. I., Martins R. P. // IEEE Circuitsand Systems Magazine. 2015. V. 15. № 1. P. 12.
- Wu H., Murphy D., Darabi H. // IEEE J. of Solid-State Circuits. 2019. V. 54. № 3. P. 796.
- Han J., Kwon K. // IEEE Trans. 2020. V. CS-I-67. № 6. P. 1881.
- Bae S., Kim D., Kim D. et al. // IEEE Trans. 2021. V. CS-I-68. № 2. P. 892.
- Darabi H., Abidi A. A. // IEEE J. of Solid-State Circuits. 2000. V. 35. № 1. P. 15.
- Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans.2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.
- Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2009. V. CS-I-56. № 12. P. 2556.
- Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. 2023. Т. 68. № 1. С. 83.
- Kenneth S. M. // Mathem. Magazine. 1981. V. 54. № 2. P. 67.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 

