Конструктивное исполнение периферийного участка пальцев мощных сверхвысокочастотных латеральных транзисторов

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Проведен обзор и исследование вариантов конструктивного исполнения периферийных участков пальцев СВЧ LDMOS транзисторов. Исследование проводилось посредством 3D моделирования в САПР Sentaurus TCAD. Определены варианты конструкции, позволяющие обеспечить уровень напряжения пробоя сток-исток на периферии не ниже, чем в рабочей части пальца.

Об авторах

Р. П. Алексеев

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

Email: arp@niiet.ru
ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

П. В. Пролубников

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

В. В. Мальцев

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

П. Л. Куршев

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

А. Н. Цоцорин

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

И. В. Семейкин

АО «Научно-исследовательский институт электронной техники»

ул. Старых Большевиков, 5, Воронеж, 394033 Российская Федерация

Список литературы

  1. Алексеев Р.П., Цоцорин А.Н., Черных М.И. // Электроника НТБ. 2020. Т. 00195. № 4. С. 98.
  2. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // Электроника НТБ. 2023. Т. 00223. № 2. С. 92.
  3. Theeuwen S.J.C.H., Mollee H., Heeres R., van Rijs F. // 2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conf. (EuMIC). Madrid. 23–25 Sept. N.Y.: IEEE, 2018. P. 162.
  4. Алексеев Р.П., Семейкин И.В., Цоцорин А.Н., Куршев П.Л. // ФТП. 2022. Т. 56. № 11. С. 1088.
  5. Tкачев А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В. и др. // Вестник ВГТУ. 2010. Т. 6. № 5. С. 112.
  6. Алексеев Р.П., Быкадорова Г.В., Бормонтов Е.Н. // Энергия-XXI век. 2016. Т. 93. № 1. С. 68.
  7. Бачурин В.В., Корнеев С.В., Крымко М.М. // Способ изготовления СВЧ LDMOS-транзисторов. Патент РФ на изобретение № 2 498 448. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели» № 31 от 10.11.2013.
  8. Theeuwen S.J.C.H., van Rijs F., Hammes P.C.A. et al. // Electric Device Comprising an LDMOS Transistor. US Patent № 7 521.768 B2. Publ. 21.04.2009.
  9. De Boet J.A.M., Peuscher H.J., Bron P., Theeu- wen S.J.C.H. // LDMOS Having a Field Plate. US Patent № 8.450 802 B2. Publ. 28.05.2013.
  10. Theeuwen S.J.C.H., Qureshi J.H. // IEEE Trans. 2012. V. VTT-60 № 6. P. 1755.
  11. Chandler P.R. // High Voltage Semiconductor Device and Method of Fabrication. Patent US № 10 886 39. Publ. 05.01.2021.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025