Fermi level pinning on the (110) oxidized surface of AIII-Sb semiconductors

P. A. Alekseev; Алексеев П. А.; A. N. Smirnov; Смирнов А. Н.; V. A. Sharov; Шаров В. А.; B. R. Borodin; Бородин Б. Р.; E. V. Kunitsyna; Куницына Е. В.

doi:10.31857/S0367676523701430

Закрепление уровня ферми на окисленной поверхности (110) полупроводников AIII-Sb

Авторы: Алексеев П.А.¹, Смирнов А.Н.¹, Шаров В.А.¹, Бородин Б.Р.¹, Куницына Е.В.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 829-832
Раздел: Статьи
URL: https://cardiosomatics.ru/0367-6765/article/view/654380
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701430
EDN: https://elibrary.ru/VLLSLD
ID: 654380

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Изучены особенности закрепления уровня Ферми на окисленной (110) поверхности полупроводников AIII-Sb (GaSb, Ga_0.78In_0.22As_0.18Sb_0.82, Ga_0.66Al_0.34As_0.025Sb_0.975). Показано, что уровень Ферми закрепляется на расстоянии 4.65 ± 0.1 эВ от уровня вакуума. Для фотоокисленной поверхности Ga_0.78In_0.22As_0.18Sb_0.82 и Ga_0.66Al_0.34As_0.025Sb_0.975 показано наличие Sb. Формирование Sb на поверхности в результате более быстрого окисления элементов III-группы приводит к закреплению уровня Ферми на одном расстоянии от уровня вакуума в III-Sb соединениях.

Список литературы

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Cirlin G.E. et al. // Nanotechnology. 2018. V. 29. Art. No. 314003.
Woodall J., Freeouf J. // J. Vacuum. Sci. Technol. 1981. V. 19. P. 794.
Baier H.-U., Koenders L., Mönch W. // Solid State Comm. 1986. V. 58. P. 327.
Spicer W. E., Lindau I., Skeath P. et al. // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. P. 420.
Marozas B., Hughes W., Du X. et al. // Opt. Mater. Express. 2018. V. 8. P. 1419.
Andreev I., Il’inskaya N., Kunitsyna E. et al. // Semiconductors. 2013. V. 37. P. 949.
Dunaevskiy M., Alekseev P., Girard P. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112. Art. No. 064112.
Alekseev P., Dunaevskiy M., Kirilenko D. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. Art. No. 074302.
Su Y., Gan K., Hwang J., Tyan S. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 5584.
Haines M., Kerr T., Newstead S., Kirby P. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 1942.
Schwartz G., Gualtieri G., Griffiths J. et al. // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. P. 2488.
Michaelson H.B. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 4729.
Hasegawa H., Hideo O. // J. Vacuum. Sci. Technol. B. 1986. V. 4. P. 1130.
Freeouf J., Woodall J. // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 39. P. 727.
Sharov V., Alekseev P., Fedorov V. et al. // Appl. Surf. Sci. 2021. V. 563. Art. No. 150018.