Influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of barium titanate
- Авторлар: Korotkov L.N.1, Tolstykh N.A.1, Borodin N.N.1, Kashirin M.A.1, Anisimov R.G.1, Popov S.V.2, Pankova M.A.3
-
Мекемелер:
- Voronezh State Technical University
- Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy
- Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia
- Шығарылым: Том 88, № 5 (2024)
- Беттер: 716-721
- Бөлім: Physics of ferroelectrics
- URL: https://cardiosomatics.ru/0367-6765/article/view/654675
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050046
- EDN: https://elibrary.ru/OXRQGO
- ID: 654675
Дәйексөз келтіру
Аннотация
The influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of ceramic barium titanate was studied. The obtained results show that Si in concentrations up to 1 mol. % enters to the BaTiO3 lattice, forming the BaTi1-xSixO3 solid solution. Doping barium titanate with silicon leads to a decrease in the size of the crystal cell, a slight diffuseness of the ferroelectric phase transition, a decrease in its temperature and the appearance of signs of a relaxer ferroelectric.
Негізгі сөздер
Авторлар туралы
L. Korotkov
Voronezh State Technical University
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026
N. Tolstykh
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026
N. Borodin
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026
M. Kashirin
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026
R. Anisimov
Voronezh State Technical University
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026
S. Popov
Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394064
M. Pankova
Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394065
Әдебиет тізімі
- Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Титанат бария. Ростов-на-Дону.: Изд. РГУ, 1970. 214 с.
- Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.
- Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.
- Rabe K.M., Ahn C.H., Triscone J.-M. Physics of ferroelectrics: a modern perspective Berlin: Springer-Verlag, 2007. 388 p.
- Толстых Н.А., Короткова Т.Н., Аль Джаафари Ф.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 9. С. 1196; Tolstykh N.A., Korotkova T.N., Al’ Dzhaafari F.D. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 9. P. 1086.
- Lemanov V.V., Smirnova E.P., Syrnikov P.P., Tarakanov E.A. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 5. P. 3151.
- Gatea H.A., Shoja S.J., Albazoni H.J. // J. Miner. Met. Mater. Soc. 2023. V. 75. P. 4470.
- Weber U., Greuel G., Boettger U. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. V. 84. No. 4. P. 759.
- Ciomaga C.E., Calderone R., Buscaglia M.T. et al. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. No. 3. P. 944.
- Jeon H.-P., Lee S.-K., Kim S.-W. et al. // Mater. Chem. Phys. 2005. V. 94. No. 2—3. P. 185.
- Wang J., Tang L., Shenn B., Zhai J. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
- Zhang Y., Cao M., Yao Z. et al. // Mater. Res. Bull. 2015. V. 67. P. 70.
- Lu X., Tong Y., Talebinezhad H. et al. // Proc. 2017 ISAF IWATMD PFM. (Atlanta, 2017). P. 56.
- Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
- Diao C., Liu H., Hao H. et al. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
- Al-jaafari F.M.D., Mohammed M.A., Shahad S.H. et al. // Ferroelectrics. 2023. V. 612. P. 144.
- Гинье А. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1961. 604 с.
- https://dpva.ru/Guide/GuidePhysics/Length/IonicRadius.
- Landolt-Börnstein. Group III Condensed Matter. V. 36A1. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2011.
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.
Қосымша файлдар
