Influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of barium titanate

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of ceramic barium titanate was studied. The obtained results show that Si in concentrations up to 1 mol. % enters to the BaTiO3 lattice, forming the BaTi1-xSixO3 solid solution. Doping barium titanate with silicon leads to a decrease in the size of the crystal cell, a slight diffuseness of the ferroelectric phase transition, a decrease in its temperature and the appearance of signs of a relaxer ferroelectric.

Sobre autores

L. Korotkov

Voronezh State Technical University

Autor responsável pela correspondência
Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394026

N. Tolstykh

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394026

N. Borodin

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394026

M. Kashirin

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394026

R. Anisimov

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394026

S. Popov

Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394064

M. Pankova

Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia

Email: l_korotkov@mail.ru
Rússia, Voronezh, 394065

Bibliografia

  1. Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Титанат бария. Ростов-на-Дону.: Изд. РГУ, 1970. 214 с.
  2. Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.
  3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.
  4. Rabe K.M., Ahn C.H., Triscone J.-M. Physics of ferroelectrics: a modern perspective Berlin: Springer-Verlag, 2007. 388 p.
  5. Толстых Н.А., Короткова Т.Н., Аль Джаафари Ф.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 9. С. 1196; Tolstykh N.A., Korotkova T.N., Al’ Dzhaafari F.D. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 9. P. 1086.
  6. Lemanov V.V., Smirnova E.P., Syrnikov P.P., Tarakanov E.A. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 5. P. 3151.
  7. Gatea H.A., Shoja S.J., Albazoni H.J. // J. Miner. Met. Mater. Soc. 2023. V. 75. P. 4470.
  8. Weber U., Greuel G., Boettger U. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. V. 84. No. 4. P. 759.
  9. Ciomaga C.E., Calderone R., Buscaglia M.T. et al. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. No. 3. P. 944.
  10. Jeon H.-P., Lee S.-K., Kim S.-W. et al. // Mater. Chem. Phys. 2005. V. 94. No. 2—3. P. 185.
  11. Wang J., Tang L., Shenn B., Zhai J. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
  12. Zhang Y., Cao M., Yao Z. et al. // Mater. Res. Bull. 2015. V. 67. P. 70.
  13. Lu X., Tong Y., Talebinezhad H. et al. // Proc. 2017 ISAF IWATMD PFM. (Atlanta, 2017). P. 56.
  14. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
  15. Diao C., Liu H., Hao H. et al. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
  16. Al-jaafari F.M.D., Mohammed M.A., Shahad S.H. et al. // Ferroelectrics. 2023. V. 612. P. 144.
  17. Гинье А. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1961. 604 с.
  18. https://dpva.ru/Guide/GuidePhysics/Length/IonicRadius.
  19. Landolt-Börnstein. Group III Condensed Matter. V. 36A1. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2011.
  20. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024