Транзисторные генераторы мощных прямоугольных импульсов с субмикросекундной длительностью

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

Приведены результаты сравнительных исследований генераторов мощных субмикросекундных импульсов прямоугольной формы, в которых коммутатор выполнен в виде транзисторного блока с трансформаторной цепью управления. Рассмотрен блок из десяти последовательно соединенных транзисторов, способный на частоте 2 кГц коммутировать в резистивную нагрузку 150 Ом прямоугольные импульсы тока с амплитудой 50 А и длительностью до 1 мкс, имеющие фронт и спад менее 50 нс. Определена возможность увеличения коммутируемой мощности путем увеличения силового напряжения до десятков кВ.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

С. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Ресей, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

А. Жмодиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Ресей, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Д. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Ресей, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Әдебиет тізімі

  1. Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Рольник И.А., Степанянц А.Л. // ПТЭ. 2002. № 5. С. 102.
  2. Малашин М.В., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Шершунова Е.А. // ПТЭ. 2016. № 2. С. 71. https://doi.org/10.7868/S0032816216020099
  3. Коротков С.В., Аристов Ю.В., Жмодиков А.Л., Козлов А.К., Коротков Д.А. // ПТЭ. 2018. № 1. С. 42. https://doi.org/10.7868/S0032816218010202

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Electrical circuit of the experimental generator: D – BZV55C15; Tr: w1 = 1, w2 = 3 (core – ferrite No. 87 from Epcos with dimensions 16×9.6×12.6 mm3); V – МIC4452.

Жүктеу (163KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Oscillograms of the power current I, voltage UT on the transistor T, voltage Uу on the gate of the transistor T and the starting current Iw1 in the control circuit. Vertical scales: current I – 25 A/div., voltage UT – 200 V/div., voltage Uу – 5 V/div., current Iw1 – 10 A/div., horizontal scales – 100 ns/div.

Жүктеу (330KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Oscillograms of voltage Uу on the gate of IRG4PF50WD and currents I1–I4 through the transistor block. Vertical scales: currents I1–I4 – 15 A/div., voltage Uу – 10 V/div., horizontal scales – 40 ns/div.

Жүктеу (361KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Oscillograms of the power current I and voltage U on the SiC transistor block. Vertical scales: current – ​​5 A/div, voltage – 500 V/div, horizontal – 20 ns/div.

Жүктеу (321KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. Oscillograms of power currents I1, I2 and voltages U1, U2 on the IGBT transistor block IRG4PF50WD. Vertical scales: currents I1, I2 – 15 A/div., voltages U1, U2 – 2 kV/div., horizontal scales – 200 ns/div.

Жүктеу (345KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024