Транзисторные генераторы мощных прямоугольных импульсов с субмикросекундной длительностью

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

Приведены результаты сравнительных исследований генераторов мощных субмикросекундных импульсов прямоугольной формы, в которых коммутатор выполнен в виде транзисторного блока с трансформаторной цепью управления. Рассмотрен блок из десяти последовательно соединенных транзисторов, способный на частоте 2 кГц коммутировать в резистивную нагрузку 150 Ом прямоугольные импульсы тока с амплитудой 50 А и длительностью до 1 мкс, имеющие фронт и спад менее 50 нс. Определена возможность увеличения коммутируемой мощности путем увеличения силового напряжения до десятков кВ.

全文:

受限制的访问

作者简介

С. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

编辑信件的主要联系方式.
Email: korotkov@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

А. Жмодиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Д. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
俄罗斯联邦, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

参考

  1. Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Рольник И.А., Степанянц А.Л. // ПТЭ. 2002. № 5. С. 102.
  2. Малашин М.В., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Шершунова Е.А. // ПТЭ. 2016. № 2. С. 71. https://doi.org/10.7868/S0032816216020099
  3. Коротков С.В., Аристов Ю.В., Жмодиков А.Л., Козлов А.К., Коротков Д.А. // ПТЭ. 2018. № 1. С. 42. https://doi.org/10.7868/S0032816218010202

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2. Fig. 1. Electrical circuit of the experimental generator: D – BZV55C15; Tr: w1 = 1, w2 = 3 (core – ferrite No. 87 from Epcos with dimensions 16×9.6×12.6 mm3); V – МIC4452.

下载 (163KB)
索引源数据
3. Fig. 2. Oscillograms of the power current I, voltage UT on the transistor T, voltage Uу on the gate of the transistor T and the starting current Iw1 in the control circuit. Vertical scales: current I – 25 A/div., voltage UT – 200 V/div., voltage Uу – 5 V/div., current Iw1 – 10 A/div., horizontal scales – 100 ns/div.

下载 (330KB)
索引源数据
4. Fig. 3. Oscillograms of voltage Uу on the gate of IRG4PF50WD and currents I1–I4 through the transistor block. Vertical scales: currents I1–I4 – 15 A/div., voltage Uу – 10 V/div., horizontal scales – 40 ns/div.

下载 (361KB)
索引源数据
5. Fig. 4. Oscillograms of the power current I and voltage U on the SiC transistor block. Vertical scales: current – ​​5 A/div, voltage – 500 V/div, horizontal – 20 ns/div.

下载 (321KB)
索引源数据
6. Fig. 5. Oscillograms of power currents I1, I2 and voltages U1, U2 on the IGBT transistor block IRG4PF50WD. Vertical scales: currents I1, I2 – 15 A/div., voltages U1, U2 – 2 kV/div., horizontal scales – 200 ns/div.

下载 (345KB)
索引源数据

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024