Транзисторные генераторы мощных прямоугольных импульсов с субмикросекундной длительностью

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Приведены результаты сравнительных исследований генераторов мощных субмикросекундных импульсов прямоугольной формы, в которых коммутатор выполнен в виде транзисторного блока с трансформаторной цепью управления. Рассмотрен блок из десяти последовательно соединенных транзисторов, способный на частоте 2 кГц коммутировать в резистивную нагрузку 150 Ом прямоугольные импульсы тока с амплитудой 50 А и длительностью до 1 мкс, имеющие фронт и спад менее 50 нс. Определена возможность увеличения коммутируемой мощности путем увеличения силового напряжения до десятков кВ.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. В. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

А. Л. Жмодиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Д. А. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Список литературы

  1. Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Рольник И.А., Степанянц А.Л. // ПТЭ. 2002. № 5. С. 102.
  2. Малашин М.В., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Шершунова Е.А. // ПТЭ. 2016. № 2. С. 71. https://doi.org/10.7868/S0032816216020099
  3. Коротков С.В., Аристов Ю.В., Жмодиков А.Л., Козлов А.К., Коротков Д.А. // ПТЭ. 2018. № 1. С. 42. https://doi.org/10.7868/S0032816218010202

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Электрическая схема опытного генератора: D – BZV55C15; Тр: w1 = 1, w2 = 3 (сердечник – феррит № 87 фирмы Epcos с размерами 16×9.6×12.6 мм3); V – МIC4452.

Скачать (163KB)
3. Рис. 2. Осциллограммы силового тока I, напряжения UТ на транзисторе Т, напряжения Uу на затворе транзистора Т и тока запуска Iw1 в цепи управления. Масштабы по вертикали: тока I – 25 А/дел., напряжения UТ – 200 В/дел., напряжения Uу – 5 В/дел., тока Iw1 – 10 А/дел., по горизонтали – 100 нс/дел.

Скачать (330KB)
4. Рис. 3. Осциллограммы напряжения Uу на затворе IRG4PF50WD и токов I1–I4 через транзисторный блок. Масштабы по вертикали: токов I1–I4 – 15 А/дел., напряжения Uу – 10 В/дел., по горизонтали – 40 нс/дел.

Скачать (361KB)
5. Рис. 4. Осциллограммы силового тока I и напряжения U на блоке SiC-транзисторов. Масштабы по вертикали: тока – 5 А/дел, напряжения – 500 В/дел., по горизонтали – 20 нс/дел.

Скачать (321KB)
6. Рис. 5. Осциллограммы силовых токов I1, I2 и напряжений U1, U2 на блоке IGBT-транзисторов IRG4PF50WD. Масштабы по вертикали: токов I1, I2 – 15 А/дел., напряжений U1, U2 – 2 кВ/дел., по горизонтали – 200 нс/дел.

Скачать (345KB)

© Российская академия наук, 2024