Компенсация магнитостатической связи между магнитными слоями в спин-туннельном элементе

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Предложен метод значительного уменьшения влияния магнитостатического магнитного поля фиксированного магнитного поля на свободный слой спин-туннельного элемента. Метод основан на использовании свободного слоя, размер которого превышает фиксированный слой, за счет чего достигается значительное уменьшение влияния магнитостатического поля.

Об авторах

Д. В. Васильев

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр»

Автор, ответственный за переписку.
Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва

О. П. Поляков

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»,

Email: D.Vasilyev@tcen.ru

физический факультет

Россия, Москва; Москва

П. А. Поляков

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»

Email: D.Vasilyev@tcen.ru

физический факультет

Россия, Москва

В. В. Амеличев

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр»

Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва

С. И. Касаткин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт проблем управления имени В.А. Трапезникова Российской академии наук»

Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва

Д. В. Костюк

Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр»

Email: D.Vasilyev@tcen.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Ферт А. // УФН. 2008. Т. 178. № 12. С. 1336; Fert A. // Phys. Usp. 2008. V. 51. No. 12. P. 1336.
  2. Kim S.N., Cho J.W., Lim S.H. // Sci. Reports. 2019. V. 9. P. 1617.
  3. Ferdaus F., Talukder B.M.S.B., Sadi M., Rahman M.T. // Proc. 22nd Int. Symp. Quality Electronic Design (ISQED). 2021. P. 510.
  4. Girard P., Cheng Y., Virazel A. et al. // Proc. IEEE. 2021. V. 109. P. 149.
  5. Трушин А.С., Кичин Г.А., Звездин К.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 1. С. 105; Trushin A.S., Kichin G.A., Zvezdin K.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 1. P. 88.
  6. Yang C.L., Lai C.H. // Sci. Reports. 2021. V. 11. Art. No. 15214.
  7. Inomata K., Nozaki T., Tezuka N., Sugimoto S. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 310.
  8. Franco F., Silva M., Cardoso S., Freitas P.P. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. Art. No. 072401.
  9. Поляков О.П., Поляков П.А., Васильев Д.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 11. С. 1653; Polyakov O.P., Polyakov P.A., Vasillyev D.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 11. P. 1711.
  10. Шевцов В.С., Амеличев В.В., Васильев Д.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 9. С. 1247; Shevtsov V.S., Amelichev V.V., Vasilyev D.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2022. V. 86. No. 9. P. 1033.
  11. Bandiera S., Sousa R.C., Dahmane Y. et al. // IEEE Magn. Lett. 2010. V. 1. Art. No. 3000204.
  12. Юсипова Ю.А., Скиданов В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 359; Iusipova Iu.A., Skidanov V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Ser. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 310.
  13. Тамм И.Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1976. 616 c.
  14. Ахиезер А.И., Барьяхтар В.Г., Пелетминский С.В. Спиновые волны. М.: Наука, 1967. 368 c.
  15. Стрэттон Дж.А. Теория электромагнетизма. М.: ОГИЗ, 1948, 538 c.
  16. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. VIII. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982. 621 c.
  17. Амеличев В.В., Васильев Д.В., Костюк Д.В. и др. // Микроэлектроника. 2021. Т. 50. № 6. С. 461.
  18. Вдовичев С.Н., Грибков Б.А., Гусев С.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2011. T. 94. № 5. C. 418; Vdovichev S.N., Gribkov B.A., Gusev S.A. et al. // JETP Lett. 2011. V. 94. No. 5. P. 386.
  19. Wang S., Fujiwara H., Sun M. // JMMM. 2005. V. 295. P. 246.
  20. Polyakov O., Amelichev V., Zhukov D. et al. // Sensors. 2021. V. 21. P. 2118.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024